Điện tử cơ bản toàn tập

     

Bài giảng "Điện tử cơ bản: Ôn tập - Công thức" khối hệ thống hóa lại cục bộ các kỹ năng và kiến thức cơ bạn dạng và các phương pháp đang học tập giành cho các bạn sinch viên hoàn toàn có thể dễ dãi ôn tập lại những kỹ năng về định phương tiện mạch điện, các hoạt dộng với phương pháp linh kiện, phân tích những yếu tắc phi con đường, mạch khuếch đại tín hiệu bé dại, năng lượng cùng năng suất,... Mời các bạn thuộc tham khảo ngôn từ chi tiết.




Bạn đang xem: Điện tử cơ bản toàn tập

*

GT. ĐIỆN TỬ CƠ BẢN ÔN TẬP – CÔNG THỨC 1 A. Các định quy định mạch điện n Vk  0, n• Định hình thức Kirchhoff về cầm k 1 , về chiếc  i j  0 j 1• Định lý Thevenin VTH, RTH, Norton IN, RN = RTH• Công thức cầu phân chia thế• Công thức cầu phân chia dòng• Nguim lý chồng chập (xếp chồng) x1 Mạch x2 y= y1(t) + y2(t) 2 B.Cách chuyển động cùng cách làm linc kiện• Nối pn- Diod• MOSFET• BJT• Op.Amp. 31. MOSFET 4• Biểu thức điện cố gắng và loại điện a.Biểu thức điện thay Dựa vào triết lý với đặc đường, quỉ tích các điểm tất cả VDSBảo Hành cho bởi: VDSbảo hành = VGS – VTH (1). b. Biểu thức loại năng lượng điện bay ID.

Xem thêm: Sms Banking Là Gì ? Có Nên Đăng Ký Sms Banking? Sms Banking Là Gì

- Trong vùng năng lượng điện trsinh hoạt : VGS VTH giỏi VDS > VGS-VTH ta có : ID = k(VGS – VTH )2 (3) k=K/2 hằng số tuỳ trực thuộc linh phụ kiện . 5Transistor nối lưỡng cực-BJT• Công thức cái điện I E  IC  I B IC   I E  IC   I B   1• Phân cực: - Tính điểm tĩnh điều hành và quản lý ( IB,IC, VCE) - Đường cài tĩnh (DCLL)• Khuếch đại ( chế độ động, AC):• - Tính Ri, AV, AI, Ro• Ba giải pháp ráp: CE, CB, CC ( giỏi EF) 6.Biểu thức loại điện vào BJT ( ráp CE)• Theo định nguyên lý Kirchhoff ta có: IE = IB + IC (1)• Theo cách hoạt động của BJT vừa xét có: IE = InE + IpE = InE (2)  IC = Inc + Ico (3)điện thoại tư vấn thông số truyền đạt chiếc năng lượng điện vạc – thu : số đ t td mang lại rất thu InC IC sốđttd vạc đ từ rất phát InE IE Txuất xắc vào (3) cho: Ic = IE + ICO = IE + ICBO (4)  1 IC  I  I   I B     1 I CO (5) 1 B 1 CO  1  ;  1  7 1 1.Cách ráp cực phát chung ( CE-comtháng emitter) Co Ci Q RC + RB Vo vi RL - + + VCC VBB Do: Tín hiệu vào nền – vạc BE Tín hiệu ra thu – phạt CE Cả 2 ngõ vào với ra bao gồm rất phân phát chung 8 Mạch tương đương (AC)  1 IC  I B  1 I   I B     1 I CO (5) 1 CO  1  ;  1  1 1 B C+B ic c rbb ++ rc + ic ib vbe ib Bib rc vce rbe ie re vbe vce - - - - e E 9 C. Phân tích những yếu tắc phi tuyến• Cách sấp xỉ trang bị nhứt• Cách gần đúng lắp thêm hai• Cách sấp xỉ máy ba• Phương phdẫn giải tích df  vD  1 d f  vD  2 iD  f VD   dvD vD  VD  vD   2! dvD vD  VD 2  vD   .... 2 df  vD  iD  f VD    vD  dvD vD  VD• Pmùi hương pháp đồ vật thị 1011 D. Cổng logic• Các định luật pháp đại số Boole• Phương thơm pháp rút ít gọn hàm logic• Các cổng logic: AND, OR, NAND, NOR…• Logic tổng hợp D D iDS• Logic tuần từ G G OFF ON vGS VTH S S VT = 1V 12Inverter (Maïch Ñaûo) VDD = 5 V RL B A vout 5VA B =/A 0 VT =1V 5V vin 13 Cách vận động cơ chế giao hoán thù • Khi không tồn tại xungvào:MOSFET ko dẫn . Ta có: +VDD R DS (off ) V o (off )  VDD  V DD  VOH RD RD  R DS ( off )    20V   20V 1k    Vo • khi có xung vào: MOSFET dẫnR RDS(off) Ta có: R DS (on) +VDDV o (on)  V DD  0V  VOL R D  R DS (on) 10   20V   0,198V  0, 2V 1k   10 Vo RDS(ON) 14 Möùc ñieän theá logic qui ñònh cuûa MOSFET:VOH max Möùc logic 1 VIHmaxVOHmin Möùùc logic1 NM VIHmin Khoâng Khoâng xaùc ñònh xaùc ñònh NM VILmaxVOLmax Möùc lô ghích 0 Möùc logic0VOLmin VILmin 1 VOH 1 VOH min VIHmin Leà nhieãu V  VOH min  VIH min Sender Khoâng Receiver NMH xaùc ñònh VIL max VNML  VOL max  VIL max 0 VOLmax Leà nhieãu 0 0 0 15• Hàm số truyền ra – vào vo Vo = f(vi) VS VOH VOL 0 VTHVIL VIH VS vi(V) Thí dụ: Cho Vs = 5V, VOH =4,4V, VOL = 0,5V vo(V) ViH = 3,2V, ViL=1,6C 5V 4,4 V 0,5V 0 1 1,6 3,2 5 Vi(V) 16 E. Khuếch đại tín hiệu lớn• MOSFET• Điện cầm cố ra cho vày K  vi  VTH  RL 2 vO  VS  2 Daûi ñieän theá ngoõ vaøo cöïc đaïi: 1  1  2 KRLVS VTH  vI  VTH  KRL vGS  VTH Daûi ñieän aùp ra cöïc ñaïi: vDS  vGS  VTH 1  1  2 KRLVS VS  KRL Daûi dong thoaùt töông öùng: K 0 I   2 v VTH 2 17Ñoä lôïi ñieän theá coøn goïi laø haøm soá truyeàn: Vsvo cutoff Bieân ñoä cuûavo vuøng (vi – VTH) ñoä doác lôùnVs hôn moät MOSFET vào vuøng baûo hoaø VTH vi  vôùi ( vO > vi – VTH vaø vi VTH) Vuøng diod (vo • Dưới dạng: K VI  VTH  2 iD  I D  id   K VI  VTH  vi 2• Với yếu tắc DC với thành phần gia tăng: K I D  VI  VTH  , 2 2 id  K VI  VTH  vi• Đồ thị biểu diễn: iDS K  vGS  VTH  2Nhận xét: iD Ids 2 KID  VI  VTH   h.s., DCbias 2 2 Điểm phân cực IDid  K VI  VTH  vi  g m vi Vgsgm thông số hỗ dẫnVá: VGS = VI 0 vTH VI vi vGS 19Thí duï 2 :Cho maïch khueách ñaïi MOSFET nhö thí duï 1, MOSFET hoaït ñoängvào ñieàu kieän baûo hoaø vôùi daûi ñieän theá vaøo 1V 1,9V, ta phaûi choïnñieän theá vaøo ñieåm hoaït ñoäng taïi trò soá trung taâm daûi ñoäng ñoù, goïiVi = 1,45V. Söï choïn löïa naøy ñöôïc bieåu dieãn treân hình veõ laïi döôùi ñaây: iD(mA)0,50,41 VGS = 1,9V Ñieåm hoaït ñoäng Q(4V, 0,1 mA)0,1 vGS = 1,45V vGS = 1 V 0 0,9 4 5 vDSTa bieát ngoõ ra cụ ñoåi giöõa 0,9V vaø 5V khi ngoõ vaøo thay ñoåi giöûa 1Vvaø 1,9V. 20

Chuyên mục: Đầu tư tài chính